2SA1312GRTE85LF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1484466पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.02492
- भाग संख्या:
- 2SA1312GRTE85LF
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1312GRTE85LF electronic components. 2SA1312GRTE85LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SA1312GRTE85LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
2SA1312GRTE85LF उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
2SA1312GRTE85LF
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
ट्रान्जिस्टर प्रकार :
PNP
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) :
100mA
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) :
120V
Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी :
300mV @ 1mA, 10mA
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) :
100nA (ICBO)
DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce :
200 @ 2mA, 6V
पावर - अधिकतम :
150mW
फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण :
100MHz
अपरेटिंग तापमान :
125°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
S-Mini
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