BYG10YHE3_A/I मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [592206पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.06246
- भाग संख्या:
- BYG10YHE3_A/I
- निर्माता:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- विस्तृत विवरण:
- 1.5A1600VSTDAVALANCHESMD. Rectifiers 1600V Vrrm; 1.5A If DO-214AC (SMA)
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10YHE3_A/I electronic components. BYG10YHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG10YHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYG10YHE3_A/I उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
BYG10YHE3_A/I
निर्माता :
Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन :
1.5A1600VSTDAVALANCHESMD
श्रृंखला :
Automotive, AEC-Q101
भाग स्थिति :
Active
डायोड प्रकार :
Avalanche
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) :
1600V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) :
1.5A (DC)
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
1.15V @ 1.5A
गति :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) :
4µs
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
1µA @ 1600V
Capacitance @ Vr, F :
-
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
DO-214AC, SMA
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
SMA (DO-214AC)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन :
-55°C ~ 150°C
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
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VS-8EWF12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252. Rectifiers 8A 1200V Single Die
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VS-50WQ06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
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RGL34J-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
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VS-ETL1506S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK. Rectifiers 15A 600V Ultrafast 210ns
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SGL41-60-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO213AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 60 Volt
तातो पार्ट्स
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G