Diodes Incorporated - DMN2011UFDF-7

KEY Part #: K6396005

DMN2011UFDF-7 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [490925पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.07534
  • 3,000 pcs$0.06743

भाग संख्या:
DMN2011UFDF-7
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, Thyristors - TRIACs, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू and Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2011UFDF-7 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : DMN2011UFDF-7
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 14.2A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.5V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 9.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±12V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2248pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2.1W (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : U-DFN2020-6 (Type F)
प्याकेज / केस : 6-UDFN Exposed Pad

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