IPT012N08N5ATMA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [23936पीसी स्टक]
- 1 pcs$1.72178
- 2,000 pcs$1.70854
- भाग संख्या:
- IPT012N08N5ATMA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IPT012N08N5ATMA1 electronic components. IPT012N08N5ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPT012N08N5ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPT012N08N5ATMA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IPT012N08N5ATMA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
श्रृंखला :
OptiMOS™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
80V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
300A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
6V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
1.2 mOhm @ 150A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.8V @ 280µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
223nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
17000pF @ 40V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
375W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-HSOF-8-1
प्याकेज / केस :
8-PowerSFN
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