भाग संख्या :
GA06JT12-247
निर्माता :
GeneSiC Semiconductor
वर्णन :
TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB
टेक्नोलोजी :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
1200V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
6A (Tc) (90°C)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
-
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
220 mOhm @ 6A
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
-
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
-
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
-
अपरेटिंग तापमान :
175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-247AB