Diodes Incorporated - ZXMC3A16DN8TC

KEY Part #: K6523217

ZXMC3A16DN8TC मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [134368पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.27527
  • 2,500 pcs$0.24363

भाग संख्या:
ZXMC3A16DN8TC
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू and डायोडहरू - आरएफ ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMC3A16DN8TC उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : ZXMC3A16DN8TC
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N and P-Channel
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 4.9A, 4.1A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 35 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1V @ 250µA (Min)
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 17.5nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 796pF @ 25V
पावर - अधिकतम : 1.25W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-SO

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