Vishay Siliconix - SI5997DU-T1-GE3

KEY Part #: K6523375

SI5997DU-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [4186पीसी स्टक]

  • 3,000 pcs$0.10409

भाग संख्या:
SI5997DU-T1-GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFET.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Vishay Siliconix SI5997DU-T1-GE3 electronic components. SI5997DU-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5997DU-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI5997DU-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SI5997DU-T1-GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
श्रृंखला : TrenchFET®
भाग स्थिति : Obsolete
FET प्रकार : 2 P-Channel (Dual)
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 6A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 54 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 14.5nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 430pF @ 15V
पावर - अधिकतम : 10.4W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : PowerPAK® ChipFET™ Dual
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PowerPAK® ChipFet Dual

तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ