EPC - EPC2035

KEY Part #: K6415704

EPC2035 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [274457पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.14898
  • 2,500 pcs$0.14824

भाग संख्या:
EPC2035
निर्माता:
EPC
विस्तृत विवरण:
GANFET TRANS 60V 1A BUMPED DIE.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in EPC EPC2035 electronic components. EPC2035 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2035, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2035 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : EPC2035
निर्माता : EPC
वर्णन : GANFET TRANS 60V 1A BUMPED DIE
श्रृंखला : eGaN®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : GaNFET (Gallium Nitride)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 1A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 45 mOhm @ 1A, 5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.5V @ 800µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 1.15nC @ 5V
Vgs (अधिकतम) : +6V, -4V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 115pF @ 30V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : -
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : Die
प्याकेज / केस : Die
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