Littelfuse Inc. - LSIC1MO120E0120

KEY Part #: K6398296

LSIC1MO120E0120 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [6344पीसी स्टक]

  • 1 pcs$6.49592

भाग संख्या:
LSIC1MO120E0120
निर्माता:
Littelfuse Inc.
विस्तृत विवरण:
SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

LSIC1MO120E0120 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : LSIC1MO120E0120
निर्माता : Littelfuse Inc.
वर्णन : SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : SiCFET (Silicon Carbide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 1200V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 27A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 20V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 150 mOhm @ 14A, 20V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 7mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 80nC @ 20V
Vgs (अधिकतम) : +22V, -6V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1125pF @ 800V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 139W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-247-3
प्याकेज / केस : TO-247-3

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