भाग संख्या :
UGB12HTHE3/45
निर्माता :
Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन :
DIODE GEN PURP 500V 12A TO263AB
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) :
500V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) :
12A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
1.75V @ 12A
गति :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) :
50ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
30µA @ 500V
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-263AB
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन :
-55°C ~ 150°C