Infineon Technologies - IPI65R099C6XKSA1

KEY Part #: K6403166

IPI65R099C6XKSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2452पीसी स्टक]

  • 1 pcs$3.10693
  • 10 pcs$2.77553
  • 100 pcs$2.27604

भाग संख्या:
IPI65R099C6XKSA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 650V 38A TO-262.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल and Thyristors - TRIACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPI65R099C6XKSA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IPI65R099C6XKSA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 650V 38A TO-262
श्रृंखला : CoolMOS™
भाग स्थिति : Obsolete
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 38A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 99 mOhm @ 12.8A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.5V @ 1.2mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 127nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2780pF @ 100V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 278W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PG-TO262-3-1
प्याकेज / केस : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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