Infineon Technologies - IPAW60R190CEXKSA1

KEY Part #: K6398571

IPAW60R190CEXKSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [40484पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.96581
  • 450 pcs$0.54251

भाग संख्या:
IPAW60R190CEXKSA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 600V TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - जेनर - एर्रे and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPAW60R190CEXKSA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IPAW60R190CEXKSA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 600V TO220-3
श्रृंखला : CoolMOS™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 26.7A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 190 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.5V @ 630µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 63nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1400pF @ 100V
FET फिचर : Super Junction
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 34W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PG-TO220 Full Pack
प्याकेज / केस : TO-220-3 Full Pack

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