GeneSiC Semiconductor - MBR20030CT

KEY Part #: K6468801

MBR20030CT मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1317पीसी स्टक]

  • 1 pcs$32.85075
  • 25 pcs$22.84681

भाग संख्या:
MBR20030CT
निर्माता:
GeneSiC Semiconductor
विस्तृत विवरण:
DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 30V 200A Schottky Recovery
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - आरएफ, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू and डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR20030CT उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : MBR20030CT
निर्माता : GeneSiC Semiconductor
वर्णन : DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड कन्फिगरेसन : 1 Pair Common Cathode
डायोड प्रकार : Schottky
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 30V
वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड) : 200A (DC)
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 650mV @ 100A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : -
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 5mA @ 20V
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
प्याकेज / केस : Twin Tower
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : Twin Tower
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