WeEn Semiconductors - BYR29X-800,127

KEY Part #: K6445560

BYR29X-800,127 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [7305पीसी स्टक]

  • 5,000 pcs$0.18826

भाग संख्या:
BYR29X-800,127
निर्माता:
WeEn Semiconductors
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultrafast Recovery Diodes 800V 8A
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and डायोडहरू - जेनर - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in WeEn Semiconductors BYR29X-800,127 electronic components. BYR29X-800,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYR29X-800,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYR29X-800,127 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : BYR29X-800,127
निर्माता : WeEn Semiconductors
वर्णन : DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 800V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 8A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.7V @ 8A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 75ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 10µA @ 800V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220FP
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : 150°C (Max)
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

  • IDB15E60

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode