Infineon Technologies - BSM100GB120DN2HOSA1

KEY Part #: K6534410

BSM100GB120DN2HOSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [661पीसी स्टक]

  • 1 pcs$70.14498

भाग संख्या:
BSM100GB120DN2HOSA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
IGBT 2 MED POWER 62MM-1.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Infineon Technologies BSM100GB120DN2HOSA1 electronic components. BSM100GB120DN2HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM100GB120DN2HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM100GB120DN2HOSA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : BSM100GB120DN2HOSA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : IGBT 2 MED POWER 62MM-1
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Not For New Designs
IGBT प्रकार : -
कन्फिगरेसन : Half Bridge
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 1200V
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 150A
पावर - अधिकतम : 800W
Vce (on) (अधिकतम) @ Vge, आईसी : 3V @ 15V, 100A
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 2mA
इनपुट क्यापेसिटन्स (Cies) @ Vce : 6.5nF @ 25V
इनपुट : Standard
NTC थर्मिस्टर : No
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
प्याकेज / केस : Module
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : Module

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