ON Semiconductor - FDS6688S

KEY Part #: K6411217

[13867पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    FDS6688S
    निर्माता:
    ON Semiconductor
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in ON Semiconductor FDS6688S electronic components. FDS6688S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS6688S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDS6688S उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : FDS6688S
    निर्माता : ON Semiconductor
    वर्णन : MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
    श्रृंखला : PowerTrench®
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : N-Channel
    टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 16A (Ta)
    ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 6 mOhm @ 16A, 10V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3V @ 1mA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 78nC @ 10V
    Vgs (अधिकतम) : ±20V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 3290pF @ 15V
    FET फिचर : -
    पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2.5W (Ta)
    अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-SOIC
    प्याकेज / केस : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
    • ZVNL120CSTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3.

    • ZVNL120CSTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3.

    • ZVNL120C

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3.

    • ZVNL120ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3.

    • ZVNL120ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3.

    • ZVNL110ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.