Microsemi Corporation - APT50GP60B2DQ2G

KEY Part #: K6423253

APT50GP60B2DQ2G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [6527पीसी स्टक]

  • 1 pcs$7.50953
  • 10 pcs$6.82512
  • 25 pcs$6.31312
  • 100 pcs$5.80124
  • 250 pcs$5.28935

भाग संख्या:
APT50GP60B2DQ2G
निर्माता:
Microsemi Corporation
विस्तृत विवरण:
IGBT 600V 150A 625W TMAX.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT50GP60B2DQ2G उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : APT50GP60B2DQ2G
निर्माता : Microsemi Corporation
वर्णन : IGBT 600V 150A 625W TMAX
श्रृंखला : POWER MOS 7®
भाग स्थिति : Not For New Designs
IGBT प्रकार : PT
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 600V
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 150A
वर्तमान - कलेक्टर पल्स (आईसीएम) : 190A
Vce (on) (अधिकतम) @ Vge, आईसी : 2.7V @ 15V, 50A
पावर - अधिकतम : 625W
ऊर्जा स्विच गर्दै : 465µJ (on), 635µJ (off)
इनपुट प्रकार : Standard
गेट चार्ज : 165nC
टीडी (अन / अफ) @ २° डिग्री सेल्सियस : 19ns/85ns
परीक्षण अवस्था : 400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V
उल्टो रिकभरी समय (trr) : -
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : TO-247-3 Variant
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : -

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