Toshiba Semiconductor and Storage - 2SK2009TE85LF

KEY Part #: K6397693

2SK2009TE85LF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [498647पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.07418

भाग संख्या:
2SK2009TE85LF
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, Thyristors - TRIACs and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2SK2009TE85LF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : 2SK2009TE85LF
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 200mA (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 2.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 2 Ohm @ 50MA, 2.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.5V @ 100µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : -
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 70pF @ 3V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 200mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SC-59-3
प्याकेज / केस : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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