Vishay Semiconductor Diodes Division - S1JHE3_A/H

KEY Part #: K6456932

S1JHE3_A/H मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [977949पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.03782
  • 1,800 pcs$0.03611
  • 3,600 pcs$0.03139
  • 5,400 pcs$0.02825
  • 12,600 pcs$0.02511
  • 45,000 pcs$0.02355
  • 90,000 pcs$0.02093

भाग संख्या:
S1JHE3_A/H
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC. Rectifiers 1A 600V 40A@8.3ms Single Die Auto
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल and डायोडहरू - जेनर - एर्रे ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S1JHE3_A/H उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : S1JHE3_A/H
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 600V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 1A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.1V @ 1A
गति : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 1.8µs
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 1µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : 12pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : DO-214AC, SMA
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DO-214AC (SMA)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C

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