IXYS - IXFN132N50P3

KEY Part #: K6398335

IXFN132N50P3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [3606पीसी स्टक]

  • 1 pcs$13.81097
  • 10 pcs$12.77411
  • 100 pcs$10.90993

भाग संख्या:
IXFN132N50P3
निर्माता:
IXYS
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 500V 112A SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN132N50P3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IXFN132N50P3
निर्माता : IXYS
वर्णन : MOSFET N-CH 500V 112A SOT227
श्रृंखला : HiPerFET™, Polar3™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 500V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 112A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 39 mOhm @ 66A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 5V @ 8mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 250nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 18600pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1500W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SOT-227B
प्याकेज / केस : SOT-227-4, miniBLOC

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