भाग संख्या :
CRH01(TE85L)
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
DIODE GEN PURP 200V 1A SFLAT
भाग स्थिति :
Discontinued at Digi-Key
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) :
200V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) :
1A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
980mV @ 1A
गति :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) :
35ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
10µA @ 200V
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
S-FLAT (1.6x3.5)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन :
-40°C ~ 150°C