भाग संख्या :
FCA47N60-F109
निर्माता :
ON Semiconductor
वर्णन :
MOSFET N-CH 600V 47A TO-3P
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
47A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
70 mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
270nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
8000pF @ 25V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
417W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-3PN
प्याकेज / केस :
TO-3P-3, SC-65-3