Vishay Siliconix - SQ2337ES-T1_GE3

KEY Part #: K6416609

SQ2337ES-T1_GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [344842पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.10726
  • 3,000 pcs$0.09710

भाग संख्या:
SQ2337ES-T1_GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CHAN 80V SOT23.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ2337ES-T1_GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SQ2337ES-T1_GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET P-CHAN 80V SOT23
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 80V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 2.2A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 6V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 290 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 620pF @ 30V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 3W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SOT-23-3 (TO-236)
प्याकेज / केस : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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