Microchip Technology - VP2206N3-G

KEY Part #: K6399951

VP2206N3-G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [47714पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.83620
  • 25 pcs$0.69371
  • 100 pcs$0.63217

भाग संख्या:
VP2206N3-G
निर्माता:
Microchip Technology
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - SCRs, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VP2206N3-G उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : VP2206N3-G
निर्माता : Microchip Technology
वर्णन : MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 640mA (Tj)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 900 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.5V @ 10mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : -
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 450pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 740mW (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-92-3
प्याकेज / केस : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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