Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GA200HS60S1

KEY Part #: K6533468

[823पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    VS-GA200HS60S1
    निर्माता:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    विस्तृत विवरण:
    IGBT 600V 480A 830W.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and डायोडहरू - जेनर - एकल ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GA200HS60S1 electronic components. VS-GA200HS60S1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-GA200HS60S1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VS-GA200HS60S1 उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : VS-GA200HS60S1
    निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
    वर्णन : IGBT 600V 480A 830W
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Obsolete
    IGBT प्रकार : -
    कन्फिगरेसन : Half Bridge
    भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 600V
    वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 480A
    पावर - अधिकतम : 830W
    Vce (on) (अधिकतम) @ Vge, आईसी : 1.21V @ 15V, 200A
    वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 1mA
    इनपुट क्यापेसिटन्स (Cies) @ Vce : 32.5nF @ 30V
    इनपुट : Standard
    NTC थर्मिस्टर : No
    अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
    प्याकेज / केस : INT-A-Pak
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : INT-A-PAK

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