Infineon Technologies - IRF9540NLPBF

KEY Part #: K6399512

IRF9540NLPBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [39129पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.90728
  • 10 pcs$0.81906
  • 100 pcs$0.65813
  • 500 pcs$0.51188
  • 1,000 pcs$0.42413

भाग संख्या:
IRF9540NLPBF
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 100V 23A TO262-3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - जेनर - एर्रे and ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF9540NLPBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRF9540NLPBF
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET P-CH 100V 23A TO262-3
श्रृंखला : HEXFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 23A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 117 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1450pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 3.1W (Ta), 110W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-262
प्याकेज / केस : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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