Infineon Technologies - DD1200S17H4B2BOSA2

KEY Part #: K6472753

DD1200S17H4B2BOSA2 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [97पीसी स्टक]

  • 1 pcs$365.73535

भाग संख्या:
DD1200S17H4B2BOSA2
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
DIODE MODULE 1200V 1200A.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य and डायोडहरू - जेनर - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DD1200S17H4B2BOSA2 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : DD1200S17H4B2BOSA2
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : DIODE MODULE 1200V 1200A
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड कन्फिगरेसन : 2 Independent
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 1700V
वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड) : -
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 2.1V @ 1200A
गति : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : -
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 1250A @ 900V
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -40°C ~ 150°C
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
प्याकेज / केस : Module
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : AG-IHMB130-1

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