Infineon Technologies - FZ1800R12HE4B9HOSA2

KEY Part #: K6532842

FZ1800R12HE4B9HOSA2 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [100पीसी स्टक]

  • 1 pcs$356.01893

भाग संख्या:
FZ1800R12HE4B9HOSA2
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MODULE IGBT IHMB190-2.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FZ1800R12HE4B9HOSA2 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : FZ1800R12HE4B9HOSA2
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MODULE IGBT IHMB190-2
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
IGBT प्रकार : Trench Field Stop
कन्फिगरेसन : Single Switch
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 1200V
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 2735A
पावर - अधिकतम : 11000W
Vce (on) (अधिकतम) @ Vge, आईसी : 2.1V @ 15V, 1800A
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 5mA
इनपुट क्यापेसिटन्स (Cies) @ Vce : 110nF @ 25V
इनपुट : Standard
NTC थर्मिस्टर : No
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
प्याकेज / केस : Module
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : Module

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