वर्णन :
MOSFET N-CH 800V 13A TO-247AD
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
800V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
13A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
800 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4.5V @ 4mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
155nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
4200pF @ 25V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
300W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-247AD (IXFH)