Infineon Technologies - IPP530N15N3GXKSA1

KEY Part #: K6398628

IPP530N15N3GXKSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [51954पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.75258

भाग संख्या:
IPP530N15N3GXKSA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Infineon Technologies IPP530N15N3GXKSA1 electronic components. IPP530N15N3GXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP530N15N3GXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP530N15N3GXKSA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IPP530N15N3GXKSA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3
श्रृंखला : OptiMOS™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 150V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 21A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 8V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 53 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 35µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 887pF @ 75V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 68W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PG-TO220-3-1
प्याकेज / केस : TO-220-3

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