भाग संख्या :
DMN21D2UFB-7B
निर्माता :
Diodes Incorporated
वर्णन :
MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
760mA (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
1.5V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
990 mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
0.93nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
27.6pF @ 16V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
380mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
3-DFN1006 (1.0x0.6)