Vishay Siliconix - SISH434DN-T1-GE3

KEY Part #: K6393435

SISH434DN-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [168713पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.21923

भाग संख्या:
SISH434DN-T1-GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - आरएफ and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Vishay Siliconix SISH434DN-T1-GE3 electronic components. SISH434DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISH434DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISH434DN-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SISH434DN-T1-GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH
श्रृंखला : TrenchFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 40V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 17.6A (Ta), 35A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 7.6 mOhm @ 16.2A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1530pF @ 20V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 3.8W (Ta), 52W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PowerPAK® 1212-8SH
प्याकेज / केस : PowerPAK® 1212-8SH

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