Rohm Semiconductor - RQ3E070BNTB

KEY Part #: K6394292

RQ3E070BNTB मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [944660पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.04329
  • 3,000 pcs$0.04307

भाग संख्या:
RQ3E070BNTB
निर्माता:
Rohm Semiconductor
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RQ3E070BNTB उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : RQ3E070BNTB
निर्माता : Rohm Semiconductor
वर्णन : MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 7A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 27 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.5V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 8.9nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 410pF @ 15V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2W (Ta)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-HSMT (3.2x3)
प्याकेज / केस : 8-PowerVDFN

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