SSM3J120TU,LF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [666819पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.06132
- 3,000 pcs$0.06102
- भाग संख्या:
- SSM3J120TU,LF
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET P-CH 20V 4A UFM.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J120TU,LF electronic components. SSM3J120TU,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3J120TU,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM3J120TU,LF उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SSM3J120TU,LF
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET P-CH 20V 4A UFM
श्रृंखला :
U-MOSIV
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
P-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
4A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
1.5V, 4V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
38 mOhm @ 3A, 4V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
22.3nC @ 4V
Vgs (अधिकतम) :
±8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1484pF @ 10V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
500mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
UFM
प्याकेज / केस :
3-SMD, Flat Leads
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तातो पार्ट्स
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- NDPL100N10BG
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