STL33N60DM2 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [34730पीसी स्टक]
- 1 pcs$1.33158
- 3,000 pcs$1.32495
- भाग संख्या:
- STL33N60DM2
- निर्माता:
- STMicroelectronics
- विस्तृत विवरण:
- N-CHANNEL 600 V 0.115 OHM TYP..
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल and Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in STMicroelectronics STL33N60DM2 electronic components. STL33N60DM2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STL33N60DM2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STL33N60DM2 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
STL33N60DM2
निर्माता :
STMicroelectronics
वर्णन :
N-CHANNEL 600 V 0.115 OHM TYP.
श्रृंखला :
MDmesh™ DM2
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
21A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
140 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
43nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±25V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1870pF @ 100V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
150W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PowerFlat™ (8x8) HV
प्याकेज / केस :
8-PowerVDFN
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