भाग संख्या :
DMN2320UFB4-7B
निर्माता :
Diodes Incorporated
वर्णन :
MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
1A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
1.8V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
320 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
950mV @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
0.89nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
71pF @ 10V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
520mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
X2-DFN1006-3