Diodes Incorporated - DMN2320UFB4-7B

KEY Part #: K6393903

DMN2320UFB4-7B मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [629772पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.05903
  • 10,000 pcs$0.05873

भाग संख्या:
DMN2320UFB4-7B
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल and डायोडहरू - जेनर - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Diodes Incorporated DMN2320UFB4-7B electronic components. DMN2320UFB4-7B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2320UFB4-7B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2320UFB4-7B उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : DMN2320UFB4-7B
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 1A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.8V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 320 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 950mV @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 0.89nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : ±8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 71pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 520mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : X2-DFN1006-3
प्याकेज / केस : 3-XFDFN

तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ