Microchip Technology - VN1206L-G-P002

KEY Part #: K6393228

VN1206L-G-P002 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [75663पीसी स्टक]

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  • 2,000 pcs$0.52681

भाग संख्या:
VN1206L-G-P002
निर्माता:
Microchip Technology
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VN1206L-G-P002 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : VN1206L-G-P002
निर्माता : Microchip Technology
वर्णन : MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 120V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 230mA (Tj)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 2.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : -
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 125pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-92-3
प्याकेज / केस : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
  • VN1206L-G-P002

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