BSZ0703LSATMA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [228300पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.16201
- 5,000 pcs$0.14864
- भाग संख्या:
- BSZ0703LSATMA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 8TDSON.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, Thyristors - SCRs and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies BSZ0703LSATMA1 electronic components. BSZ0703LSATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ0703LSATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSZ0703LSATMA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
BSZ0703LSATMA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 8TDSON
श्रृंखला :
*
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
-
टेक्नोलोजी :
-
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
-
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
-
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
-
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
-
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
-
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
-
Vgs (अधिकतम) :
-
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
-
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
-
अपरेटिंग तापमान :
-
माउन्टिंग प्रकार :
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
-
प्याकेज / केस :
-
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