IDT, Integrated Device Technology Inc - 71V3576S133PFGI

KEY Part #: K938192

71V3576S133PFGI मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [19532पीसी स्टक]

  • 1 pcs$2.35778
  • 144 pcs$2.34605

भाग संख्या:
71V3576S133PFGI
निर्माता:
IDT, Integrated Device Technology Inc
विस्तृत विवरण:
IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: PMIC - भोल्टेज नियामक - लिनियर, ईन्टरफेस - फिल्टर - सक्रिय, ईन्टरफेस - सिग्नल बफरहरू, रिपीटरहरू, स्प्लिटरहरू, रेखीय - एनालग बहुगुणक, डिभिडियर्स, PMIC - वर्तमान नियमन / व्यवस्थापन, इन्टरफेस - आवाज रेकर्ड र प्लेब्याक, PMIC - DMS रूपान्तरण गर्न RMS and इन्टरफेस - सेन्सर, क्यापेसिटिव टच ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

71V3576S133PFGI उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : 71V3576S133PFGI
निर्माता : IDT, Integrated Device Technology Inc
वर्णन : IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
मेमोरी प्रकार : Volatile
मेमोरी ढाँचा : SRAM
टेक्नोलोजी : SRAM - Synchronous
मेमोरी साइज : 4.5Mb (128K x 36)
घडी फ्रिक्वेन्सी : 133MHz
साइकल समय लेख्नुहोस् - शब्द, पृष्ठ : -
पहुँच समय : 4.2ns
मेमोरी ईन्टरफेस : Parallel
भोल्टेज - आपूर्ति : 3.135V ~ 3.465V
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 100-LQFP
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 100-TQFP (14x14)
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
  • AT27C4096-90PU

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    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

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  • W979H2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)