ON Semiconductor - FCPF400N80Z

KEY Part #: K6397435

FCPF400N80Z मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [26417पीसी स्टक]

  • 1 pcs$1.49838
  • 10 pcs$1.35383
  • 100 pcs$1.03221
  • 500 pcs$0.80283
  • 1,000 pcs$0.66520

भाग संख्या:
FCPF400N80Z
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 800V 11A ZNR.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, Thyristors - SCRs and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCPF400N80Z उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : FCPF400N80Z
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : MOSFET N-CH 800V 11A ZNR
श्रृंखला : SuperFET® II
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 800V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 11A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 400 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4.5V @ 1.1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2350pF @ 100V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 35.7W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220F
प्याकेज / केस : TO-220-3 Full Pack

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