Vishay Semiconductor Diodes Division - ES2G-M3/52T

KEY Part #: K6455149

ES2G-M3/52T मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [458235पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.08072
  • 750 pcs$0.07734
  • 1,500 pcs$0.05801
  • 2,250 pcs$0.05317
  • 5,250 pcs$0.04995
  • 18,750 pcs$0.04673
  • 37,500 pcs$0.04297

भाग संख्या:
ES2G-M3/52T
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,400V,35NS,UF Rect,SMD
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES2G-M3/52T उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : ES2G-M3/52T
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 400V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 2A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.1V @ 2A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 50ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 10µA @ 400V
Capacitance @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : DO-214AA, SMB
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DO-214AA (SMB)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C

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