IPI530N15N3GXKSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [92680पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.42189
- 500 pcs$0.38702
- भाग संख्या:
- IPI530N15N3GXKSA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IPI530N15N3GXKSA1 electronic components. IPI530N15N3GXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI530N15N3GXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPI530N15N3GXKSA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IPI530N15N3GXKSA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3
श्रृंखला :
OptiMOS™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
150V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
21A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
8V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
53 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 35µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
887pF @ 75V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
68W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TO262-3
प्याकेज / केस :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
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- BSC205N10LS G
- IRLZ44ZL
- IXTP76N075T
- IPW65R080CFDFKSA1
- IRF3315STRR
- IRL630S
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- IPB80N04S304ATMA1
- SIPC08N60C3X1SA1
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- SIUD406ED-T1-GE3