भाग संख्या :
SSM3K01T(TE85L,F)
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
3.2A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
2.5V, 4V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
120 mOhm @ 1.6A, 4V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
-
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
-
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
152pF @ 10V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1.25W (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TSM
प्याकेज / केस :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3