Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-MURB820-M3

KEY Part #: K6442207

VS-MURB820-M3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [106274पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.34804

भाग संख्या:
VS-MURB820-M3
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK. Rectifiers 200V 8A TO-263 Fred Pt
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, and डायोडहरू - जेनर - एर्रे ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-MURB820-M3 electronic components. VS-MURB820-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-MURB820-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-MURB820-M3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : VS-MURB820-M3
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK
श्रृंखला : FRED Pt®
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 200V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 8A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 975mV @ 8A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 35ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 5µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-263AB (D²PAK)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -65°C ~ 175°C

तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
  • BAS21E6359HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GP 200V 250MA SOT23-3.

  • BAS16E6393HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GP 80V 250MA SOT23-3.

  • CMDD6001 BK

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA

  • IDK12G65C5XTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263-2.

  • IDK10G65C5XTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263-2.

  • IDK09G65C5XTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 650V 9A TO263-2.