निर्माता :
Diodes Incorporated
वर्णन :
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
श्रृंखला :
Automotive, AEC-Q101
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
4.2A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
1.8V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
25 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
900mV @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
9.6nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
829.9pF @ 10V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
780mW
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
SOT-23-3
प्याकेज / केस :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3