Diodes Incorporated - DMG3414UQ-7

KEY Part #: K6393791

DMG3414UQ-7 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [663036पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.05579
  • 3,000 pcs$0.05025

भाग संख्या:
DMG3414UQ-7
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG3414UQ-7 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : DMG3414UQ-7
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 4.2A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.8V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 25 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 900mV @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 9.6nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : ±8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 829.9pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 780mW
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SOT-23-3
प्याकेज / केस : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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