HN1D02FU,LF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1169017पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.03339
- 3,000 pcs$0.03322
- 6,000 pcs$0.02990
- 15,000 pcs$0.02658
- 30,000 pcs$0.02492
- 75,000 pcs$0.02215
- भाग संख्या:
- HN1D02FU,LF
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6. Diodes - General Purpose, Power, Switching US6-M8,
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage HN1D02FU,LF electronic components. HN1D02FU,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HN1D02FU,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HN1D02FU,LF उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
HN1D02FU,LF
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
डायोड कन्फिगरेसन :
2 Pair Common Cathode
डायोड प्रकार :
Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) :
80V
वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड) :
100mA
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
1.2V @ 100mA
गति :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
उल्टो रिकभरी समय (trr) :
4ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
500nA @ 80V
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन :
125°C (Max)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
US6
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