[14059पीसी स्टक]
- भाग संख्या:
- FQPF3P50
- निर्माता:
- ON Semiconductor
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET P-CH 500V 1.9A TO-220F.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - DIACs, SIDACs and Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in ON Semiconductor FQPF3P50 electronic components. FQPF3P50 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQPF3P50, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQPF3P50 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
FQPF3P50
निर्माता :
ON Semiconductor
वर्णन :
MOSFET P-CH 500V 1.9A TO-220F
श्रृंखला :
QFET®
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
P-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
500V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
1.9A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
4.9 Ohm @ 950mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
660pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
39W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220F
प्याकेज / केस :
TO-220-3 Full Pack
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
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- BMS4003
- TK16A55D(STA4,Q,M)
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- IRFZ46ZPBF
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- NTD4302T4
- 2SK221100L
- IRF6648TR1
- IRF7807ZPBF
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- PMN23UN,165
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