Infineon Technologies - BSM200GB120DN2HOSA1

KEY Part #: K6534155

BSM200GB120DN2HOSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [497पीसी स्टक]

  • 1 pcs$93.31102

भाग संख्या:
BSM200GB120DN2HOSA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
IGBT 2 MED POWER 62MM-1.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM200GB120DN2HOSA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : BSM200GB120DN2HOSA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : IGBT 2 MED POWER 62MM-1
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Not For New Designs
IGBT प्रकार : -
कन्फिगरेसन : Half Bridge
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 1200V
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 290A
पावर - अधिकतम : 1400W
Vce (on) (अधिकतम) @ Vge, आईसी : 3V @ 15V, 200A
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 4mA
इनपुट क्यापेसिटन्स (Cies) @ Vce : 13nF @ 25V
इनपुट : Standard
NTC थर्मिस्टर : No
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
प्याकेज / केस : Module
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : Module

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