Transphorm - TPH3208LSG

KEY Part #: K6398313

TPH3208LSG मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [8238पीसी स्टक]

  • 1 pcs$5.00194

भाग संख्या:
TPH3208LSG
निर्माता:
Transphorm
विस्तृत विवरण:
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - TRIACs and डायोडहरू - जेनर - एर्रे ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPH3208LSG उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : TPH3208LSG
निर्माता : Transphorm
वर्णन : GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Not For New Designs
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : GaNFET (Gallium Nitride)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 20A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 130 mOhm @ 14A, 8V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.6V @ 300µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 42nC @ 8V
Vgs (अधिकतम) : ±18V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 760pF @ 400V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 96W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 3-PQFN (8x8)
प्याकेज / केस : 3-PowerDFN

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