निर्माता :
Renesas Electronics America
वर्णन :
MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
28A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
52 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
-
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
49nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
2300pF @ 10V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1W (Ta), 40W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-251 (MP-3)
प्याकेज / केस :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA